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日本京都薄膜材料KTM用于光學(xué)薄膜形成的真空蒸發(fā)材料

發(fā)布時(shí)間：2020-08-14　點(diǎn)擊量：1543

我們的實(shí)驗(yàn)室主要生產(chǎn)和銷(xiāo)售用于光學(xué)薄膜形成的真空蒸發(fā)材料。

我們提供各種材料來(lái)形成防反射膜，濾光片，透明導(dǎo)電膜，保護(hù)膜等。

該產(chǎn)品通過(guò)利用無(wú)機(jī)材料的粉末燒結(jié)技術(shù)來(lái)抑制氣相沉積過(guò)程中飛濺和廢氣的產(chǎn)生。

真空蒸鍍材料產(chǎn)品列表

■材料形狀
顆粒型φ5-90mm等，顆粒型0.5-1.5mm，1-3mm，長(zhǎng)型，其他特殊形狀（拱形）

顆粒圖片顆粒圖片顆粒照片（脫氣型）顆粒照片（長(zhǎng)型）拱門(mén)照片
顆粒顆粒顆粒（脫氣型）顆粒
（長(zhǎng)型）		拱

■氣相沉積法
電子束（EB），離子束，電阻加熱，激光燒蝕等。

沒(méi)有。產(chǎn)品名稱(chēng)（氧化物）沒(méi)有。產(chǎn)品名稱(chēng)（氧化物）
1個(gè)Al2O3（氧化鋁-氧化鋁）13SnO2（氧化錫）
2CeO2（氧化鈰）14Ta2O5（五氧化二鉭）
3Cr2O3（氧化鉻）15Ti3O5（五氧化鈦）
四個(gè)Fe2O3（氧化鐵）16TiO（一氧化鈦）
五Ga2O3（氧化鎵）17TiO2（二氧化鈦-二氧化鈦）
6HfO2（氧化ha-氧化f）18歲WO3（氧化鎢）
7ITO（In2O3 + SnO2）19Y2O3（氧化釔-氧化釔）
8MgO（氧化鎂-氧化鎂）　20Yb2O3（氧化y）
9Nb2O5（五氧化二鈮）二十一ZnO（氧化鋅）
十NiO（氧化鎳）二十二ZrO2（氧化鋯-氧化鋯）
11SiO（一氧化硅）二十三ZRT2（ZrO2 + TiO2）
12SiO2（氧化硅）  
沒(méi)有。產(chǎn)品名稱(chēng)（氟化物）沒(méi)有。產(chǎn)品名稱(chēng)（氟化物）
二十四AlF3（氟化鋁）31LiF（氟化鋰）
二十五BaF2（氟化鋇）32MgF2（氟化鎂）
26BaF2 + YF3（氟化鋇+氟化釔）33NaF（氟化鈉）
27CaF2（氟化鈣）34NdF3（氟化釹）
28CeF3（氟化鈰）35SmF3（氟化mar）
29GdF3（氟化ga）36YbF3（氟化tter）
30LaF3（氟化鑭）37YF3（氟化釔）
沒(méi)有。產(chǎn)品名稱(chēng)（硫化物）沒(méi)有。產(chǎn)品名稱(chēng)（硫化物）
38硫化鋅  
沒(méi)有。產(chǎn)品名稱(chēng)（氮化物）沒(méi)有。產(chǎn)品名稱(chēng)（氮化物）
39AlN（氮化鋁）41TiN（氮化鈦）
40Si3N4（氮化硅）  

1號(hào)膜 /材料特性
Al2O3（氧化鋁-氧化鋁）Al2O3（氧化鋁-氧化鋁）
膜特性
[折射率] 1.63（約550 nm）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.2至8μm　
[蒸發(fā)方法] EB		物性
[理論密度] 4.0g / cm 3
[熔點(diǎn)] 2046℃[沸點(diǎn)] 2980℃
[物質(zhì)]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：難溶

2號(hào)膜 /材料特性
CeO2（氧化鈰）CeO2（氧化鈰）
膜特性
[折射率] 2.2（550 nm附近）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.4-16μm
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		物性
[理論密度] 7.3 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1950°C [沸點(diǎn)]-
[性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：
不溶于酸不溶于HCl，H 2溶于 SO 4和HNO 3

3號(hào)膜 /材料特性
Cr2O3（氧化鉻）Cr2O3（氧化鉻）
薄膜特性
[折射率] 2.24-i0.07（約700 nm）
[ 工作波長(zhǎng)范圍] 1.2至10μm
[蒸發(fā)方法] EB		材料性能
[理論密度] 5.21 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 2435°C [沸點(diǎn)] 4000°C
[材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：不溶

4號(hào)膜 /材料特性
Fe2O3（氧化鐵）Fe2O3（氧化鐵）
膜特性
[折射率] 3.0（
550nm 左右）[工作波長(zhǎng)范圍]0.8??
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		物性
[理論密度] 5.24 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1,565°C [沸點(diǎn)]-　
[性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)藥品性：可溶于鹽酸和硫酸

5號(hào)膜 /材料特性
Ga2O3（氧化鎵）Ga2O3（氧化鎵）
膜特性
[折射率] 1.45（約550 nm）
[波長(zhǎng)范圍]-
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		材料性能
[理論密度] 5.95 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1900°C [沸點(diǎn)]-　
[性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：不溶

6號(hào)膜 /材料特性
HfO2（氧化ha-氧化f）HfO2（氧化ha-氧化f）
膜特性
[折射率] 1.95（550 nm附近）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.23至12μm
[蒸發(fā)方法] EB		材料性能
[理論密度] 9.68 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 2810°C [沸點(diǎn)] 5400°C
[材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：不溶

7號(hào)膜 /材料特性
ITO（In2O3 + SnO2）顆粒ITO（In2O3 + SnO2）
膜特性
[折射率] 2.06-i0.016（近500 nm）
[ 工作波長(zhǎng)范圍] 0.4至1μm
[蒸發(fā)方法] EB		材料特性
[產(chǎn)品密度]-
[熔點(diǎn)]-[沸點(diǎn)]-[ 材料
]
In2O3 = 可溶性（酸：無(wú)定形），不溶（水（酸：結(jié)晶））
三角體系：850℃（揮發(fā)性）
SnO2 =熔點(diǎn)：1630°C，沸點(diǎn)：180-1900°C（升華）
可溶性（KOH，NaOH），不溶（水，王水）

8號(hào)膜 /材料特性
MgO（氧化鎂-氧化鎂）MgO（氧化鎂-氧化鎂）
薄膜特性
[折射率] 1.74（約550 nm）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.23至9μm
[蒸發(fā)方法] EB		物性
[理論密度] 3.58 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 2800°C [沸點(diǎn)] 3600°C　
[性能]○水溶性：－○耐化學(xué)性（酸，堿）：可溶

9號(hào)膜 /材料特性
Nb2O5（五氧化二鈮）Nb2O5（五氧化二鈮）
膜特性
[折射率] 2.33（約500 nm）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.32至8μm
[蒸發(fā)方法] EB		材料性能
[理論密度] 4.47 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1520°C [沸點(diǎn)]-　
[性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：氫fu酸，可溶于堿

10號(hào)膜 /材料特性
NiO（氧化鎳）NiO（氧化鎳）
膜特性
[折射率]-
[波長(zhǎng)范圍]-　
[蒸發(fā)方法] EB		物性
[理論密度] 6.82 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1955°C [沸點(diǎn)]-　
[材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：溶于鹽酸

11號(hào)膜 /材料特性
SiO（一氧化硅）SiO（一氧化硅）
膜特性
[折射率] 1.9（
550nm 附近）[工作波長(zhǎng)范圍] 0.55?8?
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		物性
[理論密度] 2.24 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1,700°C以下[沸點(diǎn)]-　
[性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性：可溶于鹽酸和硫酸

12號(hào)膜 /材料特性
SiO2（氧化硅）SiO2（氧化硅）
膜特性
[折射率] 1.46（近500 nm）
[ 工作波長(zhǎng)范圍] 0.16-8μm　
[蒸發(fā)方法] EB		材料性能
[理論密度] 2.20 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1500°C [沸點(diǎn)] 2230°C [ 材料
]○水溶性：不溶，不溶于酸，堿

13號(hào)膜 /材料特性
SnO2（氧化錫）SnO2（氧化錫）
膜特性
[折射率] 2.0（550 nm附近）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.4?1.5?
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		材料特性
[理論密度] 6.95 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1,565°C [沸點(diǎn)]-　
[性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性：可溶于鹽酸和硫酸

14號(hào)膜 /材料特性
Ta2O5（五氧化二鉭）Ta2O5（五氧化二鉭）
膜特性
[折射率] 2.16（約550 nm）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.35至10μm　
[蒸發(fā)方法] EB		材料性能
[理論密度] 8.73 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1468°C [沸點(diǎn)]-
[材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：氫fu酸，可溶于堿

15號(hào)膜 /材料特性
Ti3O5（五氧化鈦）Ti3O5（五氧化鈦）
膜特性
[折射率] 2.3至2.55（約550 nm）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.35至12μm　
[蒸發(fā)方法] EB		物性
[理論密度]-
[熔點(diǎn)]-[沸點(diǎn)]-
[性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：溶于稀硫酸/稀鹽酸

16號(hào)膜 /材料特性
TiO（一氧化鈦） TiO（一氧化鈦）
膜特性
[折射率] 2.3至2.55（約550 nm）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.35至12μm　
[蒸發(fā)方法] EB		材料性能
[理論密度] 4.93 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1750°C [沸點(diǎn)] 3000°C
[材料]○水溶性：－○耐化學(xué)性（酸，堿）：可溶于稀硫酸/稀鹽酸

17號(hào)膜 /材料特性
TiO2（二氧化鈦-二氧化鈦）TiO2（二氧化鈦-二氧化鈦）
膜特性
[折射率] 2.3至2.55（約550 nm）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.35至12μm　
[蒸發(fā)方法] EB		材料性能
[理論密度] 4.26 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1850°C [沸點(diǎn)] 3000°C
[性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：可溶于硫酸和堿

18號(hào)膜 /材料特性
WO3（氧化鎢）WO3（氧化鎢）
膜特性
[折射率] 2.2（550 nm附近）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.4μm?
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		物性
[理論密度] 7.15 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1473°C [沸點(diǎn)]-
[性質(zhì)]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：溶于堿性水溶液

19號(hào)膜 /材料特性
Y2O3（氧化釔-氧化釔） Y2O3（氧化釔-氧化釔）
膜特性
[折射率] 1.87（約550 nm）
[ 工作波長(zhǎng)范圍] 0.25至2μm
[蒸發(fā)方法] EB		物性
[理論密度] 5.03 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 2410℃[沸點(diǎn)] 4300℃
[性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：溶于酸，不溶于堿
20號(hào)膜 /材料特性
Yb2O3（氧化y）Yb2O3（氧化y）
膜特性
[折射率] 1.75（
550nm 附近）[工作波長(zhǎng)范圍]0.28??　
[蒸發(fā)方法] EB		材料特性
[理論密度] 9.2 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1,127°C [沸點(diǎn)] 1,850°C [　材料
]○水溶性：不溶

21號(hào)膜 /材料特性
ZnO（氧化鋅） 　　　 ZnO（氧化鋅） 　　　
膜特性
[折射率] 2.1（550 nm附近）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.35至20μm　
[蒸發(fā)方法] EB		物性
[理論密度] 5.47 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1975°C [沸點(diǎn)]-
[性能]○水溶性：微溶性○耐化學(xué)性（酸，堿）：可溶　

 

22號(hào)膜 /材料特性
ZrO2（氧化鋯-氧化鋯） ZrO2（氧化鋯-氧化鋯）
膜特性
[折射率] 2.05（約550 nm）
[ 工作波長(zhǎng)范圍] 0.3至8μm
[蒸發(fā)方法] EB		物性
[理論密度] 5.56g / cm 3
[熔點(diǎn)] 2677℃[沸點(diǎn)] 4548℃　
[性質(zhì)]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：可溶于硫酸，氫fu酸

23號(hào)膜 /材料特性
ZRT2（ZrO2 + TiO2）ZRT2（ZrO2 + TiO2）
膜特性
[折射率] 2.10（550 nm附近）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.3到7μm
[蒸發(fā)方法] EB		材料特性
[理論密度]-
[熔點(diǎn)]-[沸點(diǎn)]-[ 材料
]-

24號(hào)膜 /材料特性
AlF3（氟化鋁） AlF3（氟化鋁）
膜特性
[折射率] 1.38（約550 nm）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.22至12μm
[蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB		材料特性
[理論密度] 2.88 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1040°C [沸點(diǎn)] 1260°C（升華）
[ 材料 ]○水溶性：可溶

25號(hào)膜 /材料特性
BaF2（氟化鋇）BaF2（氟化鋇）
膜特性
[折射率] 1.48（約
550nm ）[工作波長(zhǎng)范圍] 0.25?15E　
[蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB		材料特性
[理論密度] 4.87g / cm 3（20℃）
[熔點(diǎn)] 1,287℃[沸點(diǎn)] 1,287℃[　材料
]○水溶性：0.16g / 100g 20℃

26號(hào)膜 /材料特性
BaF2 + YF3（氟化鋇+氟化釔）BaF2 + YF3（氟化鋇+氟化釔）
薄膜特性
[折射率]-
[波長(zhǎng)范圍]-　
[蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB		材料特性
[理論密度]-　
[熔點(diǎn)]-[沸點(diǎn)]-　
[性質(zhì)]-　

27號(hào)膜 /材料特性
CaF2（氟化鈣） CaF2（氟化鈣）
膜特性
[折射率] 1.23至1.45（550 nm附近）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.15至12μm
[蒸發(fā)方法]電阻加熱		材料特性
[理論密度] 3.18 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1418°C [沸點(diǎn)] 2500°C
[材料]○水溶性：水18°C 0.0016g / 100g，微溶（稀無(wú)機(jī)酸），不溶：乙酸

28號(hào)膜 /材料特性
CeF3（氟化鈰） CeF3（氟化鈰）
薄膜特性
[折射率] 1.63（約550 nm）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.3至12μm
[蒸發(fā)方法]電阻加熱，電子束		材料性能
[理論密度] 5.8 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1324°C [沸點(diǎn)] 1360°C
[材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：不溶于酸

29號(hào)膜 /材料特性
GdF3（氟化ga）GdF3（氟化ga）
膜特性
[折射率] 1.59（約550 nm）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.28μm?
[蒸發(fā)方法]電阻加熱		材料特性
[理論密度]-
[熔點(diǎn)] 1231℃[沸點(diǎn)] 2277℃
[ 材料 ]不溶（水）

30號(hào)膜 /材料特性
LaF3（氟化鑭）LaF3（氟化鑭）
薄膜特性
[折射率] 1.59（約550 nm）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.22至14μm
[蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB		材料性能
[理論密度] 5.9 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1490°C [沸點(diǎn)] 2300°C
[材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：不溶于酸

31號(hào)膜 /材料特性
LiF（氟化鋰）LiF（氟化鋰）
膜特性
[折射率] 1.3（約550 nm）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.11至8μm
[蒸發(fā)方法]電阻加熱		物性
[理論密度] 2.64 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 842°C [沸點(diǎn)] 1680°C [ 材料
]○水溶性：微溶可溶性：氫fu酸

32號(hào)膜 /材料特性
MgF2（氟化鎂）MgF2（氟化鎂）
膜特性
[折射率] 1.38至1.4（約550 nm）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.13至10μm
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		材料性能
[理論密度] 3.2 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1248°C [沸點(diǎn)] 2260°C
[材料]○水溶性：微溶和可溶（NHO3）

33號(hào)膜 /材料特性
NaF（氟化鈉）NaF（氟化鈉）
膜特性
[折射率] 1.34（約550 nm）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.13至15μm　
[蒸發(fā)方法]電阻加熱		材料特性
[理論密度] 2.78 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 988°C [沸點(diǎn)] 1704°C [ 材料
]可溶性（水，氫fu酸）

34號(hào)膜 /材料特性
NdF3（氟化釹） 　　　　　　 NdF3（氟化釹） 　　　　　　
膜特性
[折射率] 1.61（約550 nm）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.17至12μm　
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		材料特性
[理論密度] 6.5 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1374°C [沸點(diǎn)] 2327°C [ 材料
]-

35號(hào)膜 /材料特性
SmF3（氟化mar）SmF3（氟化mar）
膜特性
[折射率]-
[使用的波長(zhǎng)范圍]-
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		材料性能
[理論密度] 6.5 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1306°C。[沸點(diǎn)] 2427°C。
[自然]可溶性（硫酸鹽），不溶（水）

36號(hào)膜 /材料特性
YbF3（氟化tter）YbF3（氟化tter）
膜特性
[折射率] 1.5（550 nm附近）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.22-12μm
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		材料特性
[理論密度] 8.2g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1157℃[沸點(diǎn)] 2230℃
[ 材料 ]-　　

37號(hào)膜 /材料特性
YF3（氟化釔）YF3（氟化釔）
膜特性
[折射率] 1.5（550 nm附近）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.2-14μm　
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		材料性能
[理論密度] 5.07 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1152°C [沸點(diǎn)] 2230°C [ 材料
]不溶（水），分解（濃酸）

38號(hào)膜 /材料特性
硫化鋅硫化鋅
膜特性
[折射率] 2.35（約550 nm）
[工作波長(zhǎng)范圍] 0.38?1.4?　
[蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB		物性
[理論密度] 4.06 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 1,850℃[沸點(diǎn)]-
[ 材料 ]○水溶性：不溶　

39號(hào)膜 /材料特性
AlN（氮化鋁）AlN（氮化鋁）
膜特性
[折射率] 1.9-2.2（630 nm附近）
[工作波長(zhǎng)范圍]0.3??IR
[蒸發(fā)方法] EB		材料性能
[理論密度] 3.25 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 3,000°C [沸點(diǎn)]-
[ 材料 ]○水溶性：與水反應(yīng)（生成氨）

40號(hào)膜 /材料特性
Si3N4（氮化硅）Si3N4（氮化硅）
膜特性
[折射率] 1.72（約1,500?）
[ 工作波長(zhǎng)范圍]0.25-9?　
[蒸發(fā)方法] EB		材料特性
[理論密度] 3.18 g / cm 3
[熔點(diǎn)]-[沸點(diǎn)]-[ 材料
]○水溶性：不溶　

41號(hào)膜 /材料特性
TiN（氮化鈦）TiN（氮化鈦）
膜特性
[折射率] 1.39-i2.84（650 nm附近）
[ 工作波長(zhǎng)范圍]-　
[蒸發(fā)方法] EB		物性
[理論密度] 5.44 g / cm 3
[熔點(diǎn)] 2,980°C。[沸點(diǎn)]以上
[性質(zhì)]○可溶：不溶