日本理光thermo紅外線導(dǎo)入加熱裝置GV系列

產(chǎn)品型號(hào)：

所屬分類(lèi)：

產(chǎn)品時(shí)間：2024-09-05

簡(jiǎn)要描述：日本理光thermo紅外線導(dǎo)入加熱裝置GV系列
將樣品放置在各種氣氛中，例如超高真空或氣流中，并且精確地輻射紅外線以快速加熱樣品而不會(huì)發(fā)生接觸。
它可以輕松連接到真空系統(tǒng)或分析儀。

詳細(xì)說(shuō)明：

日本理光thermo紅外線導(dǎo)入加熱裝置GV系列

將樣品放置在各種氣氛中，例如超高真空或氣流中，并且精確地輻射紅外線以快速加熱樣品而不會(huì)發(fā)生接觸。

它可以輕松連接到真空系統(tǒng)或分析儀。
Thermo Riko的主要型號(hào)。

	快速升溫	：gao加熱速度為150℃/ sec，1500℃持續(xù)約1min
	清潔加熱	：無(wú)需擔(dān)心熱源或電磁感應(yīng)產(chǎn)生的氣體
	局部供暖	：僅用紅外光照射樣品，不加熱周?chē)鷧^(qū)域
	可附加	：可以安裝在各種系統(tǒng)上

　　　紅外線感應(yīng)加熱裝置根據(jù)應(yīng)用具有以下規(guī)格。

超高真空型	支持　10 ^-9 Pa的超高真空。
高速加熱型	大升溫速度為150℃/秒。
常溫加熱型	可以對(duì)放置在大氣中的樣品進(jìn)行點(diǎn)加熱。
加壓氣氛類(lèi)型	可以加熱壓力在10個(gè)大氣壓以下的樣品。
特殊規(guī)格	通過(guò)利用GV系列的功能，我們可以響應(yīng)各種需求，例如快速冷卻，負(fù)載加熱和磁場(chǎng)加熱。　請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)系。
符合CE標(biāo)志	我們還生產(chǎn)符合CE標(biāo)志的規(guī)范。

原理圖

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　超高真空型GVH

　高速加熱型GV / GVL

　加壓氣氛類(lèi)型GVP

日本理光thermo紅外線導(dǎo)入加熱裝置GV系列

	快速退火紅外感應(yīng)加熱系統(tǒng)GV1 / GV2
	底部照射型紅外熱處理設(shè)備RTA198 / RTA298
	熱脫附氣體分析儀GV2H
	紅外感應(yīng)加熱系統(tǒng)，用于在磁場(chǎng)中加熱樣品GVL298M / GV154M / GV-M 1
	用于X射線形貌的紅外感應(yīng)加熱裝置
	XPS設(shè)備安裝示例

它由紅外線引入單元，多端口真空室，溫度控制器等組成，可以在高真空下對(duì)樣品進(jìn)行超高溫加熱。
由于它具有許多端口，因此可以用于各種實(shí)驗(yàn)。

可以進(jìn)行干凈的加熱，并且可以通過(guò)打開(kāi)和關(guān)閉真空室的前門(mén)來(lái)取出和取出樣品。

[應(yīng)用]-
真空/氣體氣氛中樣品的連續(xù)升溫/降溫控制-樣品前
表面加熱/后表面冷卻的快速升溫/降溫測(cè)試（可選）
-加壓氣氛中的加熱（可選）

它由紅外線感應(yīng)加熱裝置，小型真空室，溫度測(cè)量樣品部件和恒溫控制器組成。

通過(guò)用來(lái)自底部的紅外線在真空室中照射樣品，可以進(jìn)行干凈的加熱和樣品的快速退火。
樣品室頂部的觀察窗可讓您在樣品升溫時(shí)對(duì)其進(jìn)行觀察和拍照。

它由超高真空型紅外感應(yīng)加熱設(shè)備，超高真空室，質(zhì)譜儀，電源/安全電路單元和真空排氣設(shè)備組成，并且可以對(duì)從高溫樣品中產(chǎn)生的痕量氣體進(jìn)行質(zhì)量分析。 ..

紅外線源加熱裝置在真空室內(nèi)具有熱源，不產(chǎn)生氣體，可以進(jìn)行干凈的加熱，并且可以進(jìn)行高精度的分析。

也適用于在磁場(chǎng)中對(duì)樣品進(jìn)行熱處理。
[特性]
-由于被光加熱，所以是干凈的加熱，不影響
樣品上的電磁感應(yīng)。-只能精確地加熱樣品，不能加熱磁體

也可以在磁場(chǎng)中的真空/氣體氣氛中升高溫度。
它可以連接到各種電磁體和超導(dǎo)磁體上。

加熱后的樣品與可控氣氛的石英芯管一起插入磁體孔中。
當(dāng)樣品溫度為1000℃時(shí)，孔的內(nèi)壁溫度為40℃以下。

在高真空下進(jìn)行X射線照射期間，樣品被加熱到超高溫。
（紅外線從左上對(duì)角線方向和右下對(duì)角線方向發(fā)出，X線從左水平方向上發(fā)出。）

真空室安裝在XY工作臺(tái)，旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)和旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)上，在加熱，保持或冷卻樣品的同時(shí)，可以從任何角度進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)分析。